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7月30日，2021第三代半導體快充產業峰會在深圳圓滿舉辦，現場近百家快充芯片原廠及快充產業鏈配套企業出席，共同探討第三代半導體快充發展新趨勢。瑞芯微在現場展出了兩款全新通用快充協議芯片RK835、RK837及部分已量產的品牌快充產品，備受關注。

圖：峰會現場

 

       瑞芯微快充協議芯片RK835及RK837，均支持PD2.0/PD3.0/QC2.0/3.0/4.0/4.0+/ VOOC協議。內部集成Arm Cortex-M0內核，56K Flash實現PD和其他專有協議，可支持10萬次以上的重復燒錄。其中，RK837可支持恒壓恒流。

 

RK835 芯片特性：

• 內部集成的ADC可以連續地檢測電壓，電流，溫度和通過GPIO引腳反饋的系統參數

• 所有的GPIO均可配置成邊緣觸發中斷，DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

• 支持I2C接口和主從模式，內部集成了輸出放電功能，支持18到100W輸出

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓，可有效防止損壞的數據線造成產品損壞，并內置了過流、過壓和過熱保護

 

RK837芯片特性：

• 支持USBType-C和Type-A雙接口，支持I2C接口

• 集成NMOS驅動，VBUS開關管可使用低成本性能好的NMOS，內部集成快速放電電路

• 內部集成高精度ADC，可實現3-22V以10mV精度輸出，使用5mΩ取樣電阻，可實現0.1-12A以12mA精度恒流

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓，可有效防止損壞的數據線造成產品損壞，芯片還內置了過流、過壓和過熱保護

 

圖：搭載RK837的快充產品

 

       瑞芯微RK835及RK837能夠快速便捷地與各類電源芯片對接，芯片內部支持完善的保護功能，可實現簡單可靠的適配器設計，適用于快充充電器、移動電源等產品類型。目前，兩顆通用快充協議芯片均已量產并大規模應用于國內知名品牌手機快充充電器中，性能穩定可靠。